برند لهستانی محصولات حافظه تجاری و صنعتی، عرضه ماژول های حافظه صنعتی DDR4 را با مدل دیگری گسترش می دهد.
DDR4 SODIMM با شماره قطعه GR4S32G320D8I یک حافظه با ظرفیت 32 گیگابایت و سرعت 3200 مگاهرتز است که امکان استفاده موفقیت آمیز از آن را در سیستم های تعبیه شده با نیازهای بالای قدرت محاسباتی فراهم می کند. این الزامات توسط راهحلهای ابری، مجازیسازی و هوش مصنوعی علامتگذاری میشوند. فرم فشرده ماژولهای SODIMM امکان استفاده از ظرفیت رم فوقالعاده بزرگ (تا 2×32 گیگابایت) را در سیستمهای مبتنی بر کوچکترین مادربردهای خانواده ITX (نانو، پیکو و میکرو – ITX) ممکن میسازد. DDR4 GR4S32G320D8I برای عملکرد در محدوده دمایی گسترده در نظر گرفته شده است. این بدان معناست که حافظهها برای کارکرد در برنامههایی طراحی شدهاند که در معرض شرایط محیطی متغیر بین -40 درجه سانتیگراد و +85 درجه سانتیگراد قرار دارند. سازنده همچنین نسخه ای از ماژول را برای محدوده 0 تا +85 درجه سانتیگراد ارائه می دهد.
DDR4 SODIMM با شماره قطعه GR4S32G320D8I یک حافظه با ظرفیت 32 گیگابایت و سرعت 3200 مگاهرتز است که امکان استفاده موفقیت آمیز از آن را در سیستم های تعبیه شده با نیازهای بالای قدرت محاسباتی فراهم می کند. این الزامات توسط راهحلهای ابری، مجازیسازی و هوش مصنوعی علامتگذاری میشوند. فرم فشرده ماژولهای SODIMM امکان استفاده از ظرفیت رم فوقالعاده بزرگ (تا 2×32 گیگابایت) را در سیستمهای مبتنی بر کوچکترین مادربردهای خانواده ITX (نانو، پیکو و میکرو – ITX) ممکن میسازد. DDR4 GR4S32G320D8I برای عملکرد در محدوده دمایی گسترده در نظر گرفته شده است. این بدان معناست که حافظهها برای کارکرد در برنامههایی طراحی شدهاند که در معرض شرایط محیطی متغیر بین -40 درجه سانتیگراد و +85 درجه سانتیگراد قرار دارند. سازنده همچنین نسخه ای از ماژول را برای محدوده 0 تا +85 درجه سانتیگراد ارائه می دهد.
عملکرد پایدار در محدوده دمایی وسیع یکی از الزامات کلیدی است که باید توسط مدلهای خاصی از حافظههای DRAM صنعتی برآورده شود. تضمین این معیار علاوه بر طراحی مناسب دستگاه مستلزم کنترل فرآیند تولید و محصول نهایی در محیطی مناسب است. بنابراین، حافظه های صنعتی، طراحی شده برای کار در یک محدوده دمایی گسترده، تحت یک فرآیند شتاب حرارتی قرار می گیرند که هدف آن تشخیص حداکثر آسیبی است که ممکن است در اولین دوره استفاده رخ دهد. این به این معنی است که حافظه تحت رویهای قرار میگیرد که در آن صدها TB داده در DRAM نوشته و تأیید میشود. چنین آزمایشی امکان تشخیص تقریباً هر آسیبی که در رابط یا ماتریس سلول های حافظه قرار دارد را می دهد.