کیوکسیا و وسترن دیجیتال فلش مموری 218 لایه سه بعدی را معرفی کردند

نشان دادن نوآوری مستمر، شرکت Kioxia و Western Digital Corp. امروز جزئیات فناوری جدید فلش مموری سه بعدی خود را اعلام کرد. با بکارگیری فناوری‌های پیشرفته مقیاس‌بندی و پیوند ویفر، حافظه فلش سه بعدی ظرفیت، عملکرد و قابلیت اطمینان استثنایی را با هزینه‌ای جذاب ارائه می‌کند و آن را برای برآوردن نیازهای رشد نمایی داده در طیف گسترده‌ای از بخش‌های بازار ایده‌آل می‌کند.

آلپر ایلکبهار، معاون ارشد فناوری و استراتژی وسترن دیجیتال گفت: «فلش مموری سه بعدی جدید مزایای مشارکت قوی ما با Kioxia و رهبری ترکیبی ما در نوآوری را نشان می دهد. «با کار با یک نقشه راه مشترک تحقیق و توسعه و ادامه سرمایه گذاری در تحقیق و توسعه، ما توانسته ایم این فناوری اساسی را زودتر از موعد مقرر تولید کنیم و راه حل هایی با کارایی بالا و سرمایه کارآمد ارائه کنیم.

Kioxia و Western Digital با معرفی چندین فرآیند و معماری منحصربه‌فرد هزینه‌ها را کاهش دادند و پیشرفت‌های مستمر در مقیاس جانبی را ممکن ساختند. این تعادل بین پوسته پوسته شدن عمودی و جانبی ظرفیت بیشتری را در قالب های کوچکتر با لایه های کمتر با هزینه بهینه ایجاد می کند. این شرکت ها همچنین فناوری CBA (CMOS Directly Array Bonded) را توسعه داده اند که در آن هر ویفر CMOS و هر ویفر آرایه سلولی به طور جداگانه در حالت بهینه سازی شده خود تولید می شوند و سپس به یکدیگر متصل می شوند تا تراکم بیت بهبود یافته و سرعت NAND I/O سریع را ارائه دهند.

ماساکی مومودومی، مدیر ارشد فناوری در شرکت Kioxia گفت: «به لطف مشارکت مهندسی منحصربه‌فردمان، ما نسل هشتم BiCS FLASH را با بالاترین تراکم بیت در صنعت راه‌اندازی کردیم. “من خوشحالم که محموله‌های نمونه Kioxia برای مشتریان محدود آغاز شده است. با استفاده از فناوری CBA و نوآوری‌های مقیاس‌بندی، ما مجموعه فناوری‌های حافظه فلش سه بعدی خود را برای استفاده در طیف وسیعی از برنامه‌های مبتنی بر داده، از جمله گوشی‌های هوشمند، دستگاه‌های IoT و داده‌ها، ارتقا داده‌ایم. مراکز.”

تحریریه Techpowerup