## TSV (از طریق سیلیکون از طریق): یک فناوری اتصالی که در بستههای پیشرفته استفاده میشود که تراشههای بالا و پایین را به الکترودی متصل میکند که بهطور عمودی از هزاران سوراخ ریز روی تراشههای DRAM عبور میکند. HBM3 SK hynix که این فناوری را یکپارچه کرده است می تواند تا 819 گیگابایت در ثانیه پردازش کند، یعنی 163 فیلم FHD (Full-HD) را می توان در یک ثانیه انتقال داد.
HBM که برای اولین بار توسط SK hynix در سال 2013 توسعه یافت، توجه صنعت تراشه های حافظه را به دلیل نقش حیاتی خود در پیاده سازی هوش مصنوعی مولد که در سیستم های محاسباتی با کارایی بالا (HPC) کار می کند، جلب کرده است.
SK hynix گفت: این شرکت موفق به توسعه محصول بسته 24 گیگابایتی شده است که ظرفیت حافظه را نسبت به محصول قبلی 50 درصد افزایش داده است، پس از تولید انبوه اولین HBM3 جهان در ژوئن سال گذشته. ما قادر خواهیم بود محصولات جدید را از نیمه دوم سال به بازار عرضه کنیم، مطابق با تقاضای فزاینده برای محصولات حافظه پیشرفته که توسط صنعت چت بات های مبتنی بر هوش مصنوعی هدایت می شود. مهندسان SK hynix با استفاده از فناوری Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF)# برای آخرین محصول، کارایی فرآیند و پایداری عملکرد را بهبود بخشیده اند، در حالی که فناوری Through Silicon Via (TSV)## ضخامت یک تراشه DRAM واحد را تا 40 کاهش داده است. ٪، رسیدن به همان سطح از ارتفاع پشته با محصول 16 گیگابایتی.
# MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill): روشی برای قرار دادن چند تراشه بر روی بستر زیرین و چسباندن آنها به طور همزمان با جریان مجدد، سپس به طور همزمان فضای بین تراشه ها یا بین تراشه و بستر را با مواد قالب پر می کنند.
آخرین استاندارد HBM3، به ویژه، محصول بهینه برای پردازش سریع حجم زیادی از داده ها در نظر گرفته می شود و بنابراین پذیرش آن توسط شرکت های بزرگ فناوری جهانی در حال افزایش است.
SK hynix نمونه هایی از محصول 24 گیگابایتی HBM3 خود را در اختیار مشتریان متعددی قرار داده است که انتظارات زیادی از آخرین محصول ابراز کرده اند، در حالی که ارزیابی عملکرد محصول ادامه دارد.
سانگ هو هونگ، رئیس بخش بسته بندی و آزمایش در SK hynix گفت: SK hynix توانسته است به طور مداوم مجموعه ای از محصولات HBM فوق سریع و با ظرفیت بالا را با فناوری های پیشرفته خود که در فرآیند back-end استفاده می شود، توسعه دهد. این شرکت انتظار دارد در نیمه اول سال آماده سازی کامل برای تولید انبوه محصول جدید را انجام دهد تا رهبری خود را در بازار لبه DRAM در عصر هوش مصنوعی تقویت کند.
مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران