سرعت انتقال اطلاعات محصول 238 لایه 2.4 گیگابایت در ثانیه است که نسبت به نسل قبلی 50 درصد افزایش یافته است. میزان انرژی مصرف شده برای خواندن داده ها 21 درصد کاهش یافته است، دستاوردی که تعهد ESG شرکت را نیز برآورده می کند.
این شرکت در جریان اجلاس Flash Memory Summit 2022 در سانتا کلارا از توسعه جدیدترین محصول خود رونمایی کرد. جونگدال چوی، مدیر توسعه NAND در SK hynix در سخنرانی اصلی خود در این رویداد گفت: SK hynix با معرفی محصول 238 لایه مبتنی بر فناوری های 4D NAND خود، رقابت پیشرو در جهان را از نظر هزینه، عملکرد و کیفیت تضمین کرده است. . . ما به نوآوری‌ها ادامه خواهیم داد تا پیشرفت‌هایی در چالش‌های فناوری پیدا کنیم.»
از زمان توسعه محصول 96 لایه NAND در سال 2018، SK hynix مجموعه ای از محصولات 4 بعدی را معرفی کرده است که از محصولات سه بعدی موجود پیشی گرفته است. این شرکت از فناوری‌های فلش دام شارژ و peri under cell برای ساخت تراشه‌هایی با ساختارهای 4 بعدی استفاده کرده است. محصولات 4 بعدی در مقایسه با 3D دارای سطح سلولی کمتری در هر واحد هستند که منجر به راندمان تولید بیشتر می شود.
این محصول در حالی که به بالاترین لایه های 238 می رسد، کوچک ترین NAND در اندازه است، به این معنی که بهره وری کلی آن در مقایسه با NAND 176 لایه ای 34 درصد افزایش یافته است، زیرا تراشه های بیشتری با تراکم بالاتر در واحد سطح را می توان تولید کرد. هر ویفر
محصولات 238 لایه ابتدا برای SSD های مشتری که به عنوان دستگاه های ذخیره سازی رایانه های شخصی استفاده می شوند، استفاده می شود، سپس برای گوشی های هوشمند و SSD های با ظرفیت بالا برای سرورها ارائه می شود. این شرکت همچنین در سال آینده محصولات 238 لایه را در 1 ترابیت (Tb) با تراکم دو برابر در مقایسه با محصول فعلی 512 گیگابایتی معرفی خواهد کرد.
مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران