بر اساس گزارش Xtech Nikkei، مدیر ارشد فناوری این شرکت (CTO)، Hidefumi Miyajima، Kioxia قصد دارد تا سال 2031 حافظه 3D NAND با بیش از 1000 لایه تولید کند. میاجیما در طول سخنرانی خود در هفتاد و یکمین جلسه بهاری جامعه فیزیک کاربردی در دانشگاه شهر توکیو، چالش‌های فنی و راه‌حل‌های دستیابی به بیش از 1000 لایه در یک دستگاه NAND سه بعدی را مورد بحث قرار داد.
امروزه افزایش تعداد لایه های فعال در یک دستگاه NAND سه بعدی بهترین راه برای افزایش تراکم ضبط حافظه فلش است، بنابراین همه سازندگان 3D NAND تلاش می کنند این کار را با گره های پردازشی جدید هر 1.5 تا 2 سال انجام دهند. هر گره جدید چندین چالش را به همراه دارد، زیرا سازندگان NAND سه بعدی باید تعداد لایه ها را افزایش دهند و سلول های NAND را هم به صورت جانبی و هم عمودی کوچک کنند. این فرآیند به تولیدکنندگان نیاز دارد که با هر گره جدید، مواد جدیدی را اتخاذ کنند، که یک چالش بزرگ تحقیق و توسعه است.
امروزه بهترین دستگاه NAND 3D Kioxia، حافظه NAND 3D BiCS نسل هشتم با 218 لایه فعال و رابط 3.2 GT/s است (برای اولین بار در مارس 2023 معرفی شد). این نسل یک معماری جدید CBA (CMOS متصل مستقیم به آرایه) را معرفی می کند که شامل تولید جداگانه ویفرهای آرایه سلولی 3 بعدی NAND و ویفرهای CMOS I/O با استفاده از مناسب ترین فناوری فرآیند و اتصال آنها به یکدیگر است. نتیجه محصولی با تراکم بیت افزایش یافته و سرعت NAND I/O بهبود یافته است که تضمین می کند که می توان از حافظه برای ساخت بهترین SSD ها استفاده کرد.
در همین حال، جزئیات مربوط به معماری CBA، مانند اینکه آیا ویفرهای CMOS I/O شامل مدارهای جانبی NAND اضافی مانند بافرهای صفحه، تقویت‌کننده‌های حسی و پمپ‌های شارژ هستند، توسط Kioxia و شریک سازنده‌اش Western Digital فاش نشده است. با تولید سلول‌های حافظه و مدارهای جانبی به‌طور جداگانه، تولیدکنندگان می‌توانند از کارآمدترین فناوری‌های فرآیند برای هر جزء بهره ببرند، که منجر به مزایای بیشتری با پیشرفت صنعت به سمت روش‌هایی مانند انباشته رشته‌ها می‌شود، که مطمئناً برای NAND 3 بعدی 1000 لایه استفاده می‌شود.
لازم به ذکر است که سامسونگ همچنین انتظار دارد به NAND 3D 1000 لایه در سطح تولید دست یابد.
مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران
تحریریه Techpowerup
