انتظار می‌رود نسل هشتم V-NAND به عنوان سنگ بنای پیکربندی‌های ذخیره‌سازی عمل کند که ظرفیت ذخیره‌سازی سرورهای سازمانی نسل بعدی را افزایش می‌دهد، در حالی که استفاده از آن را به بازار خودرو گسترش می‌دهد که قابلیت اطمینان آن به‌ویژه حیاتی است.
سامسونگ تولید انبوه نسل هشتم V-NAND را با بالاترین تراکم بیتی صنعت راه اندازی کرد.
مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران
سامسونگ با بهبود قابل توجه بهره وری بیت در هر قطعه توانست به بالاترین تراکم بیت در صنعت دست یابد. بر اساس رابط Toggle DDR 5.0، آخرین استاندارد فلش NAND، نسل هشتم V-NAND سامسونگ سرعت ورودی و خروجی (I/O) را تا 2.4 گیگابیت در ثانیه (Gbps) ارائه می دهد که در مقایسه با 1.2 برابر افزایش یافته است. قبلی. نسل. این به V-NAND جدید اجازه می دهد تا الزامات عملکرد PCIe 4.0 و بعد از آن PCIe 5.0 را برآورده کند.
شرکت سامسونگ الکترونیک، پیشرو جهانی در فناوری حافظه پیشرفته، همانطور که در نشست Flash Memory 2022 و Samsung Memory Tech Day 2022 وعده داده بود، امروز اعلام کرد که تولید انبوه یک ترابیت (Tb) سه سطح سلولی را آغاز کرده است. TLC) نسل هشتم NAND عمودی (V-NAND) با بالاترین تراکم بیت در صنعت. با 1 ترابایت، V-NAND جدید همچنین دارای بالاترین ظرفیت ذخیره سازی تا به امروز است که فضای ذخیره سازی بیشتری را در سیستم های سرور سازمانی نسل بعدی در سراسر جهان فراهم می کند.
