فناوری GAA یا “Gates-all-around” برای ساخت ترانزیستورها در گره های ساخت سیلیکون 3 نانومتری و 2 نانومتری ضروری است. سامسونگ در حال حاضر از GAA برای گره 3 نانومتری خود استفاده می کند، در حالی که TSMC قصد دارد از آن با گره 2N (2nm) خود استفاده کند. اینتل باید از آن با گره Intel 20A (20 آنگستروم یا 2 نانومتر) استفاده کند. هر دو اینتل و TSMC گره های مجهز به GAAFET را برای تولید انبوه در سال 2024 راه اندازی خواهند کرد. دولت ایالات متحده قبلاً فروش ماشین های لیتوگرافی EUV به چین و همچنین ماشین هایی را که تراشه های فلش سه بعدی NAND با بیش از 128 لایه یا 14 نانومتر تولید می کنند ممنوع کرده است. در گذشته، تحریم های فناوری به طور کامل چین را از کپی برداری یا مهندسی معکوس فناوری غربی، یا فریب دادن مهندسان تایوانی مجهز به اسرار تجاری برای وعده ثروت و زندگی راحت در سرزمین اصلی باز می داشت.
مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران
تحریریه Techpowerup