علیرغم شایعات مربوط به مشکلات تولید و تاخیرهای نود، سامسونگ در کنفرانس سه ماهه اول خود به سهامداران اطمینان داد که این شرکت در مسیر درستی قرار دارد. گفته می شود که نرخ بازده آن از گره 5 نانومتری خود وارد مرحله بلوغ شده است، به این معنی که بازده به سطوح مورد انتظار سامسونگ رسیده است. با این حال، سامسونگ اعتراف کرد که گره 4 نانومتری آن با افزایش سرعت با تاخیر مواجه شده است، اما اکنون وارد منحنی نرخ بازگشت مورد انتظار شده است. این شرکت همچنین در حال کار بر روی یک خط جدید تحقیق و توسعه برای گره 3 نانومتری آینده خود است، اما به جزئیات آن اشاره نکرد.
در مورد محصولات DRAM سامسونگ، شایعاتی وجود داشت مبنی بر اینکه گره پردازشی 1b 12 نانومتری آن با مشکلاتی مواجه شده است و این شرکت قصد دارد به گره 1c خود سوئیچ کند، که شرکت آن را تکذیب کرد. سامسونگ اضافه کرد که توسعه 1b به طور پایدار در حال پیشرفت است و انتظار می رود Node 1c طبق برنامه تکمیل شود. این شرکت همچنین گفت که گزارشهای رسانهای درباره مشکلات ریختهگری سامسونگ اغراقآمیز بوده و دفترچههای سفارش پر است، بنابراین برخی از مشتریانش مجبور به تولید قطعات اضافی با TSMC شدند. طبق گزارش ها، کسب و کار ریخته گری سامسونگ نسبت به سال گذشته 50 درصد افزایش سود عملیاتی و همچنین 19 درصد افزایش درآمد داشته است.
