سامسونگ الکترونیکس اولین DRAM کلاس 12 نانومتری DDR5 صنعت را توسعه می دهد


شرکت Samsung Electronics، پیشرو جهانی در فناوری حافظه پیشرفته، امروز از توسعه DRAM 16 گیگابیتی DDR5 خود که با استفاده از فناوری پردازش 12 نانومتری (nm) درجه یک صنعت ساخته شده است، خبر داد. به عنوان تکمیل ارزیابی محصول برای سازگاری با AMD. جویونگ لی، معاون اجرایی محصولات و فناوری DRAM در Samsung Electronics گفت: DRAM 12 نانومتری ما یک کاتالیزور کلیدی در پذیرش DRAM DDR5 در بازار خواهد بود. “با عملکرد استثنایی و بهره وری انرژی، ما انتظار داریم DRAM جدید ما به عنوان پایه ای برای عملیات پایدارتر در زمینه هایی مانند محاسبات نسل بعدی، مراکز داده و سیستم های قدرت محور عمل کند. AI.”

جو ماکری، معاون ارشد، همکار و مشتری، مدیر ارشد فناوری کامپیوتر و گرافیک در AMD، گفت: «نوآوری اغلب مستلزم همکاری نزدیک با شرکای صنعتی برای پیشبرد مرزهای فناوری است. ما از همکاری مجدد با سامسونگ، به ویژه در زمینه معرفی محصولات حافظه DDR5 بهینه شده و معتبر در پلتفرم‌های Zen، هیجان‌زده هستیم.»

این جهش تکنولوژیکی از طریق استفاده از یک ماده جدید با ک بالا که ظرفیت سلولی را افزایش می‌دهد و فناوری طراحی اختصاصی که ویژگی‌های مدار حیاتی را بهبود می‌بخشد، ممکن شد. همراه با لیتوگرافی پیشرفته چند لایه ماوراء بنفش شدید (EUV)، DRAM جدید دارای بالاترین چگالی قالب در صنعت است که منجر به افزایش بهره وری 20 درصدی در ویفرها می شود.

با بهره گیری از آخرین استاندارد DDR5، DRAM کلاس 12 نانومتری سامسونگ به سرعت 7.2 گیگابیت در ثانیه (Gbps) باز می شود. این به معنای پردازش دو فیلم 30 گیگابایتی UHD در یک ثانیه است.

سرعت استثنایی DRAM جدید با راندمان انرژی بیشتر همراه است. DRAM کلاس 12 نانومتری با مصرف 23 درصد انرژی کمتر نسبت به DRAM قبلی، یک راه حل ایده آل برای شرکت های جهانی فناوری اطلاعات است که به دنبال عملیات سازگار با محیط زیست هستند.

با توجه به اینکه انتظار می‌رود تولید انبوه در سال 2023 آغاز شود، سامسونگ قصد دارد مجموعه DRAM خود را بر اساس این فناوری پیشرفته فرآیند 12 نانومتری در طیف گسترده‌ای از بخش‌های بازار گسترش دهد و در عین حال به همکاری با شرکای صنعتی ادامه دهد. صنعت برای حمایت از گسترش سریع محاسبات نسل بعدی



مرجع اخبار سخت افزار کامپیوترایران