حافظه GDDR7 سامسونگ با ولتاژ پایین‌تری کار می‌کند و بر روی همان گره 24 گیگابیت بر ثانیه G6 ساخته شده است.

سامسونگ روز چهارشنبه از تولید انبوه اولین تراشه های حافظه GDDR7 نسل بعدی جهان خبر داد و رایان اسمیت از AnandTech برخی جزئیات فنی را از این شرکت یادداشت کرد. ظاهراً اولین نسخه تولیدی این شرکت از حافظه GDDR7 بر روی همان گره ریخته گری سیلیکونی D1z ساخته شده است که تراشه حافظه 24 گیگابیت بر ثانیه GDDR6 آن، سریع ترین تراشه GDDR6 در حال تولید است. D1z یک گره ریخته گری کلاس 10 نانومتری است که از لیتوگرافی EUV استفاده می کند.

اسمیت همچنین برخی از مشخصات الکتریکی را مشخص کرد. نسل اول تراشه حافظه GDDR7 32 گیگابیت بر ثانیه با ولتاژ DRAM 1.2 ولت، در مقایسه با 1.35 ولت که برخی از تراشه‌های GDDR6 با سرعت بالاتر در آن کار می‌کنند، 32 گیگابیت بر ثانیه خروجی داده ارائه می‌کند. اگر pJpb (پیکو-ژول در هر بیت) 7 درصد بیشتر از نسل فعلی در مقدار مطلق باشد، برای نرخ پیشنهادی 32 گیگابیت بر ثانیه، 20 درصد کمتر از تراشه 24 گیگابیت بر ثانیه GDDR6 است. به زبان ساده، GDDR7 20 درصد انرژی کارآمدتر است. اسمیت خاطرنشان می کند که این افزایش بهره وری انرژی صرفاً معماری است و اصلاح گره D1z نیست. GDDR7 از سیگنال‌دهی PAM3 در مقایسه با سیگنال‌دهی NRZ GDDR6 معمولی و سیگنال‌دهی PAM4 استاندارد غیر JEDEC GDDR6X استفاده می‌کند که NVIDIA با فناوری Micron توسعه داده است.