الگوهای ASML اولین ویفر با استفاده از ابزار High-NA EUV، ارسال دومین اسکنر High-NA

این هفته ASML دو اطلاعیه بسیار مهم مربوط به پیشرفت خود را با لیتوگرافی فرابنفش شدید با دیافراگم عددی بالا (High-NA EUV) اعلام کرده است. ابتدا، سیستم نمونه اولیه High-NA EUV این شرکت در کارخانه خود در Veldhoven، هلند، اولین الگوهای 10 نانومتری را چاپ کرده است که نقطه عطفی برای ASML و ابزارهای نسل بعدی آن است. دوم، این شرکت همچنین فاش کرده است که دومین سیستم High-NA EUV هم اکنون در دسترس است و برای مشتری ناشناس ارسال شده است.

در بیانیه ASML آمده است: “سیستم High-NA EUV ما در Veldhoven اولین خطوط متراکم 10 نانومتری را چاپ کرد.” “تصویربرداری پس از تکمیل کالیبراسیون درشت اپتیک، سنسورها و مراحل انجام شد. مرحله بعدی: رساندن سیستم به عملکرد کامل. و دستیابی به نتایج مشابه در میدان.”

سیستم High NA EUV ما در Veldhoven اولین خطوط متراکم 10 نانومتری را چاپ کرد. ✨ تصویربرداری پس از تکمیل کالیبراسیون درشت اپتیک، سنسورها و مراحل انجام شد.

مرحله بعدی: رساندن سیستم به عملکرد کامل. و دستیابی به نتایج مشابه در میدان. ⚙️ pic.twitter.com/zcA5V0ScUf

– ASML (@ASMLcompany) 17 آوریل 2024

در کنار سیستمی که در پایان سال 2023 به اینتل ارسال شد، ASML اسکنر Twinscan EXE:5000 خود را در مرکز Veldhoven، هلند، حفظ کرده است، که این همان چیزی است که این شرکت برای تحقیق و توسعه بیشتر در High-NA EUV استفاده می‌کند. با استفاده از این دستگاه، این شرکت توانسته است خطوط متراکم را با فاصله 10 نانومتر از هم چاپ کند که نقطه عطفی در توسعه فوتولیتوگرافی است. پیش از این، تنها ماشین‌های آزمایشگاهی در مقیاس کوچک می‌توانستند به این نوع وضوح دست یابند. در نهایت، ابزارهای High-NA EUV به وضوح 8 نانومتر دست خواهند یافت که برای ساخت تراشه‌های منطقی بر روی فناوری‌های فراتر از 3 نانومتر مفید خواهد بود.

اسکنر Twinscan EXE:5000 اینتل در کارخانه D1X خود در نزدیکی هیلزبورو، اورگان نیز نزدیک به عقب است و گفته می شود مونتاژ آن در حال تکمیل شدن است. این دستگاه عمدتاً برای تحقیق و توسعه High-NA EUV خود اینتل استفاده می‌شود و اینتل قرار است از جانشین آن – Twinscan EXE:5200 تجاری – برای تولید تراشه‌های خود بر روی Intel 14A (کلاس 1.4 نانومتر) در مقادیر انبوه استفاده کند. 2026 – 2027.

اما اینتل تنها سازنده تراشه ای نخواهد بود که می تواند برای مدت طولانی اسکنر High-NA EUV را آزمایش کند. همانطور که توسط ASML فاش شد، این شرکت اخیراً ارسال یک دستگاه Twinscan EXE:5000 دیگر را برای مشتری دیگری آغاز کرده است. سازنده ابزار fab مشتری را فاش نمی‌کند، اما قبلاً گفته بود که همه تولیدکنندگان پیشرو منطق و حافظه در حال تهیه ابزارهای High-NA برای اهداف تحقیق و توسعه هستند، بنابراین فهرست «مظنونان» بسیار کوتاه است.

کریستف فوکه، مدیر بازرگانی ASML، در کنفرانس تلفنی سود شرکت با تحلیلگران و سرمایه گذاران، گفت: «در رابطه با High-NA یا 0.55 NA EUV، ما اولین سیستم خود را برای مشتری ارسال کردیم و این سیستم در حال حاضر در حال نصب است. ما ارسال سیستم دوم را در این ماه آغاز کردیم و نصب آن نیز در شرف شروع است.

در حالی که اینتل قصد دارد ابزارهای High-NA EUV را پیش از صنعت به کار گیرد، به نظر می‌رسد سایر تراشه‌سازان کمی محتاط‌تر هستند و قصد دارند برای تولید 3 نانومتر و 2 نانومتر به روش الگوبرداری دوگانه Low-NA EUV پرخطر و در عین حال شناخته‌شده تکیه کنند. با این حال، صرف نظر از زمان دقیق انتقال، همه کارخانه‌های بزرگ در زمان معین به ابزارهای High-NA EUV تکیه خواهند کرد. بنابراین همه طرف‌ها علاقه‌مند به چگونگی نتیجه‌گیری تحقیق و توسعه ASML هستند.

فوکه گفت: “علاقه مشتری به آزمایشگاه سیستم (High-NA) ما زیاد است زیرا این سیستم به مشتریان منطق و حافظه ما کمک می کند تا برای درج High-NA در نقشه راه خود آماده شوند. نسبت به 0.33 NA، سیستم 0.55 NA وضوح ریزتری را ارائه می دهد که امکان افزایش تقریباً 3 برابری در چگالی ترانزیستور را فراهم می کند، با بهره وری مشابه، در پشتیبانی از منطق زیر 2 نانومتری و گره های DRAM زیر 10 نانومتری.

منابع: ASML/X، ASML، رویترز